色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PHT8N06LT,135

PHT8N06LT,135

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SC-73
數(shù)量：: 5436
說(shuō)明：: MOSFET N-CH TRENCH 55V 7.5A

一、本商品被瀏覽0次.

PHT8N06LT,135 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：/T3 PHT8N06LT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns
工廠包裝數(shù)量：4000
上升時(shí)間：30 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：30 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：80 mOhms at 5 V
漏極連續(xù)電流：3.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 13 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHT8N06LT,135的詳細(xì)信息，包括PHT8N06LT,135廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1