色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<nav id="444sm"></nav>

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PHU101NQ03LT

PHU101NQ03LT

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: IPAK
數(shù)量：: 1080
說(shuō)明：: MOSFET RAIL PWR-MOS

一、本商品被瀏覽0次.

PHU101NQ03LT PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：PHU101NQ03LT,127
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：37 ns
工廠包裝數(shù)量：75
上升時(shí)間：90 ns
功率耗散：166 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：33 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0055 Ohms
漏極連續(xù)電流：75 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHU101NQ03LT的詳細(xì)信息，包括PHU101NQ03LT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1