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PCDB0465G1_R2_00001

廠家：: Panjit International Inc.
封裝：: TO-263
數量：: 2610
說明：: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO263

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PCDB0465G1_R2_00001 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：TO-263
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：146pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：40 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 4 A
電流 - 平均整流 (Io)：4A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Panjit International Inc.

以上是PCDB0465G1_R2_00001的詳細信息，包括PCDB0465G1_R2_00001廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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