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PCDB0465G1_R2_00001

廠家:
  Panjit International Inc.
封裝:
 TO-263
數量:
 2610  
說明:
 DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO263
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PCDB0465G1_R2_00001-TO-263圖片

PCDB0465G1_R2_00001 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:TO-263
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:146pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:40 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr):0 ns
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.7 V @ 4 A
電流 - 平均整流 (Io):4A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Panjit International Inc.

以上是PCDB0465G1_R2_00001的詳細信息,包括PCDB0465G1_R2_00001廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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