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PCDB0865G1_R2_00001

廠家:
  Panjit International Inc.
封裝:
 TO-263
數(shù)量:
 2628  
說明:
 DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263
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PCDB0865G1_R2_00001-TO-263圖片

PCDB0865G1_R2_00001 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:TO-263
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容:296pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:60 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):0 ns
速度:無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.7 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io):8A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術(shù):SiC(Silicon Carbide)Schottky
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Panjit International Inc.

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