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NTMS4176PR2G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數量:
 7578  
說明:
 MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR
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NTMS4176PR2G-8-SOIC(0.154

NTMS4176PR2G PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:19.5 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:9 ns
功率耗散:1440 mW
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:1.7 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :21.5 S
下降時間:9 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):18 mOhms
漏極連續電流:7.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTMS4176PR2G的詳細信息,包括NTMS4176PR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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