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NTMS4177PR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 8564
說明：: MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR

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NTMS4177PR2G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：64 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：13 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：30 S
下降時間：36 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：15 mOhms
漏極連續電流：- 11.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMS4177PR2G的詳細信息，包括NTMS4177PR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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