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NTLJS1102PTBG

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 6-WDFN（2x2）
數量：
 6336  
說明：
 MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm
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NTLJS1102PTBG-6-WDFN（2x2）圖片

NTLJS1102PTBG PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：80 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：41 ns
功率耗散：3.3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：70 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WDFN-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.036 Ohms
漏極連續電流：8.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 6 V
汲極/源極擊穿電壓：- 8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTLJS1102PTBG的詳細信息，包括NTLJS1102PTBG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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