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NTLJS4159NT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 6-WDFN（2x2）
數量：: 6444
說明：: MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 35MOHM

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NTLJS4159NT1G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：26 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：12.4 ns
功率耗散：1920 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DFN-6, 2 x 2
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：35 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTLJS4159NT1G的詳細信息，包括NTLJS4159NT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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