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NTGD3133PT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 6-TSOP
數量：: 4185
說明：: MOSFET PFET 20V 2.3A 145MO

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NTGD3133PT1G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：13.2 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：12.7 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：4 S
下降時間：12.7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：145 m Ohms
漏極連續電流：- 2.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTGD3133PT1G的詳細信息，包括NTGD3133PT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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