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NTGD3149CT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 6-TSOP
數量：: 4212
說明：: MOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR

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NTGD3149CT1G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：16.4 nS, 33.3 nS
上升時間：3.8 nS, 5.3 nS
功率耗散：900 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：4.6 nC, 5.2 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：4.7 S, 5.1 S
下降時間：2.4 nS, 29.5 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：60 mOhms at 4.5 V, 110 mOhms at - 4.5 V
漏極連續(xù)電流：3.5 A, - 2.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTGD3149CT1G的詳細信息，包括NTGD3149CT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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