色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<input id="yykme"></input>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > NTD18N06L-1G

NTD18N06L-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-PAK
數量：: 612
說明：: MOSFET 60V 18A N-Channel

一、本商品被瀏覽0次.

NTD18N06L-1G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：19 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：79 ns
功率耗散：55 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：13.5 S
下降時間：38 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：DPAK-SL
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.054 Ohms
漏極連續電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD18N06L-1G的詳細信息，包括NTD18N06L-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ