色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NTD18N06LT4

NTD18N06LT4

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 630
說明：: MOSFET 60V 18A N-Channel

一、本商品被瀏覽0次.

NTD18N06LT4 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：19 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：79 ns
功率耗散：55 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：13.5 S
下降時間：38 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.054 Ohms
漏極連續(xù)電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD18N06LT4的詳細信息，包括NTD18N06LT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ