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NTD12N10-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-PAK
數(shù)量：: 387
說明：: MOSFET 100V 12A N-Channel

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NTD12N10-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：22 ns
工廠包裝數(shù)量：75
上升時間：30 ns
功率耗散：56.6 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：7 S
下降時間：32 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：DPAK-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.165 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD12N10-1G的詳細(xì)信息，包括NTD12N10-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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