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NTD12N10G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 DPAK
數量:
 396  
說明:
 MOSFET 100V 12A N-Channel
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NTD12N10G-DPAK圖片

NTD12N10G PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:22 ns
工廠包裝數量:75
上升時間:30 ns
功率耗散:1.76 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :7 S
下降時間:32 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.165 Ohms
漏極連續電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD12N10G的詳細信息,包括NTD12N10G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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