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NTB30N06G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 D2PAK
數量:
 5085  
說明:
 MOSFET NFET 60V 30A
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NTB30N06G-D2PAK圖片

NTB30N06G PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:24 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:36 ns
功率耗散:88.2 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :16 S
下降時間:31 ns
包裝形式:Rail
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.042 Ohms
漏極連續電流:27 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTB30N06G的詳細信息,包括NTB30N06G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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