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NTB30N20G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: D2PAK
數量：: 5157
說明：: MOSFET 200V 30A N-Channel

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NTB30N20G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：40 ns, 82 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：20 ns, 70 ns
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：20 S
下降時間：24 ns, 88 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.068 Ohms
漏極連續電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTB30N20G的詳細信息，包括NTB30N20G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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