色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 射頻半導體 > 晶體管射頻 > 射頻GaAs晶體管 > NE8500199

NE8500199

廠家：: CEL
封裝：: CHIP
數(shù)量：: 4536
說明：: 射頻GaAs晶體管 1W C Band MESFET

一、本商品被瀏覽0次.

NE8500199 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

包裝形式：Bulk
P1dB：29.5 dBm
封裝形式：CHIP
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：6 W
最大工作溫度：+ 130 C
漏極連續(xù)電流：825 mA
閘/源擊穿電壓：- 12 V
漏源電壓 VDS：15 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：300 mS
增益：9 dB
頻率：7.2 GHz
技術類型：MESFET
RoHS：否
產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE8500199的詳細信息，包括NE8500199廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻MOSFET電源晶體管射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管

最新產(chǎn)品：

AFS4-02001800-24-10P-4

ADS7254IPWR

RER40F2260RC02

58-CBSA-3.75X4.5X0.5