色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 射頻半導(dǎo)體 > 晶體管射頻 > 射頻GaAs晶體管 > NE8500295-6

NE8500295-6

廠家：: NEC/CEL
封裝：: CHIP
數(shù)量：: 4554
說明：: 射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET

一、本商品被瀏覽0次.

NE8500295-6 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

包裝形式：Bulk
P1dB：33.8 dBm
封裝形式：CHIP
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
功率耗散：13 W
最大工作溫度：+ 175 C
漏極連續(xù)電流：1.9 A
閘/源擊穿電壓：- 12 V
漏源電壓 VDS：15 V
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：600 mS
增益：9.5 dB
頻率：5.5 GHz to 6.5 GHz
技術(shù)類型：MESFET
RoHS：否
產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：NEC

以上是NE8500295-6的詳細(xì)信息，包括NE8500295-6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻MOSFET電源晶體管射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管

最新產(chǎn)品：

AFS5-02001400-22-10P-6-GW

ADS8166IRHBR

RER40F1960MC02

59-CBSA-2.75X5.5X0.5