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NE722S01

廠家：: CEL
封裝：: SO-1
數量：: 4464
說明：: 射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET

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NE722S01 PDF參數資料

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中文參數如下：

P1dB：15 dBm
封裝形式：SO-1
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：250 mW
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續電流：120 mA
閘/源擊穿電壓：- 5 V
漏源電壓 VDS：5 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：45 mS
噪聲系數：0.9 dB
增益：12 dB
頻率：4 GHz
技術類型：MESFET
RoHS：是
制造商：CEL

以上是NE722S01的詳細信息，包括NE722S01廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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