色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 射頻半導體 > 晶體管射頻 > 射頻GaAs晶體管 > NE722S01-T1B

NE722S01-T1B

廠家：: CEL
封裝：: SO-1
數量：: 4482
說明：: 射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET

一、本商品被瀏覽0次.

NE722S01-T1B PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：4000
包裝形式：Reel
P1dB：15 dBm
封裝形式：SO-1
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：250 mW
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續電流：120 mA
閘/源擊穿電壓：- 5 V
漏源電壓 VDS：5 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：45 mS
噪聲系數：0.9 dB
增益：12 dB
頻率：4 GHz
技術類型：MESFET
RoHS：是
制造商：CEL

以上是NE722S01-T1B的詳細信息，包括NE722S01-T1B廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產品：

射頻MOSFET電源晶體管射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管