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NE325S01-T1B

廠家:
  NEC/CEL
封裝:
 SO-1
數(shù)量:
 3267  
說明:
 射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET
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NE325S01-T1B-SO-1圖片

NE325S01-T1B PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:4000
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-1
安裝風格:SMD/SMT
功率耗散:165 mW
最大工作溫度:+ 125 C
漏極連續(xù)電流:90 mA
閘/源擊穿電壓:- 3 V
漏源電壓 VDS:4 V
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :60 mS
噪聲系數(shù):0.45 dB
增益:12.5 dB
頻率:12 GHz
技術類型:HEMT
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻GaAs晶體管
制造商:NEC

以上是NE325S01-T1B的詳細信息,包括NE325S01-T1B廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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