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NE334S01

廠家:
  NEC/CEL
封裝:
 SO-1
數量:
 3285  
說明:
 射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET
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NE334S01 PDF參數資料

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中文參數如下:

包裝形式:Bulk
封裝形式:SO-1
安裝風格:SMD/SMT
功率耗散:300 mW
最大工作溫度:+ 125 C
漏極連續電流:150 mA
閘/源擊穿電壓:- 3 V
漏源電壓 VDS:4 V
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :85 mS
噪聲系數:0.25 dB
增益:16 dB
頻率:4 GHz
技術類型:HEMT
RoHS:是
產品種類:射頻GaAs晶體管
制造商:NEC

以上是NE334S01的詳細信息,包括NE334S01廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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