色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<delect id="qaoog"></delect>

<noscript id="qaoog"></noscript>

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NDH831N

NDH831N

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SuperSOT-8
數(shù)量：: 4770
說(shuō)明：: MOSFET DISC BY MFG 2/02

一、本商品被瀏覽0次.

NDH831N PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：55 ns
上升時(shí)間：30 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：30 ns
封裝形式：SuperSOT-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quint Drain Dual Source
漏極連續(xù)電流：5.8 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDH831N的詳細(xì)信息，包括NDH831N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1