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NDH8502P

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SuperSOT-8
數量:
 1629  
說明:
 MOSFET DISC BY MFG 2/02
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NDH8502P-SuperSOT-8圖片

NDH8502P PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:28 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:18 ns
功率耗散:800 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:18 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SuperSOT-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):110 mOhms
漏極連續電流:2.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是NDH8502P的詳細信息,包括NDH8502P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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