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NDD04N50Z-1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
數量:
 6867  
說明:
 MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK
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NDD04N50Z-1G-TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA圖片

NDD04N50Z-1G PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:61 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Rail
封裝形式:IPAK-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2.7 Ohms
漏極連續電流:3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:ON Semiconductor

以上是NDD04N50Z-1G的詳細信息,包括NDD04N50Z-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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