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NDD04N60ZT4G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數(shù)量:
 468  
說明:
 MOSFET NFET DPAK 600V 4A 1.8R
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NDD04N60ZT4G-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

NDD04N60ZT4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

功率耗散:83 W
柵極電荷 Qg:19 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :3.3 S
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.8 Ohms
漏極連續(xù)電流:4.1 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NDD04N60ZT4G的詳細(xì)信息,包括NDD04N60ZT4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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