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MBR60030CTRL

廠家:
  GeneSiC Semiconductor
封裝:
 雙塔架
數(shù)量:
 5742  
說明:
 DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
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MBR60030CTRL-雙塔架圖片

MBR60030CTRL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:雙塔架
封裝/外殼:雙塔架
安裝類型:底座安裝
工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:3 mA @ 30 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):580 mV @ 300 A
電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):300A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V
技術(shù):肖特基
二極管配置:1 對(duì)共陽極
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:散裝
品牌:GeneSiC Semiconductor

以上是MBR60030CTRL的詳細(xì)信息,包括MBR60030CTRL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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