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MBR60030CTRL

廠家：: GeneSiC Semiconductor
封裝：: 雙塔架
數(shù)量：: 5742
說明：: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

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MBR60030CTRL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：雙塔架
封裝/外殼：雙塔架
安裝類型：底座安裝
工作溫度 - 結(jié)：-55°C ~ 150°C
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：3 mA @ 30 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：580 mV @ 300 A
電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：300A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：30 V
技術(shù)：肖特基
二極管配置：1 對(duì)共陽極
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：散裝
品牌：GeneSiC Semiconductor

以上是MBR60030CTRL的詳細(xì)信息，包括MBR60030CTRL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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