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MBR60035CTRL

廠家:
  GeneSiC Semiconductor
封裝:
 雙塔架
數量:
 5751  
說明:
 DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
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MBR60035CTRL-雙塔架圖片

MBR60035CTRL PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝:雙塔架
封裝/外殼:雙塔架
安裝類型:底座安裝
工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:3 mA @ 35 V
反向恢復時間 (trr):-
速度:快速恢復 = 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):600 mV @ 300 A
電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):300A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):35 V
技術:肖特基
二極管配置:1 對共陽極
產品狀態:停產
包裝:-
系列:散裝
品牌:GeneSiC Semiconductor

以上是MBR60035CTRL的詳細信息,包括MBR60035CTRL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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