色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > KST55MTF_Q

KST55MTF_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數量：: 11080
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

一、本商品被瀏覽0次.

KST55MTF_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Reel
最大功率耗散：350 mW
集電極連續電流：- 0.5 A
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min：50
增益帶寬產品fT：50 MHz
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—射極飽和電壓：- 60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 60 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KST55MTF_Q的詳細信息，包括KST55MTF_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：