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KST63MTF_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數量：: 8208
說明：: 達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial

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KST63MTF_Q PDF參數資料

中文參數如下：

直流集電極/Base Gain hfe Min：5000
集電極連續電流：- 0.5 A
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：350 mW
最大集電極截止電流：0.1 uA
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：10 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：30 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KST63MTF_Q的詳細信息，包括KST63MTF_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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