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KSA709CGBU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92-3
數量：: 3384
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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KSA709CGBU PDF參數資料

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中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：50MHz
功率 - 最大值：800 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 50mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：400mV @ 20mA，200mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：150 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：700 mA
晶體管類型：PNP
產品狀態：停產
包裝：-
系列：散裝
品牌：onsemi

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