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KSA709CGTA_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-92
數量：
 3312  
說明：
 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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KSA709CGTA_Q-TO-92圖片

KSA709CGTA_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：0.8 W
集電極連續電流：- 0.7 A
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200 at 50 mA at 2 V
增益帶寬產品fT：50 MHz
最大直流電集電極電流：0.7 A
集電極—射極飽和電壓：- 150 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：8 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 150 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 160 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSA709CGTA_Q的詳細信息，包括KSA709CGTA_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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