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IXTN600N04T2

廠家:
  Ixys
封裝:
 SOT-227-4,miniBLOC
數(shù)量:
 8545  
說(shuō)明:
  功率驅(qū)動(dòng)器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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IXTN600N04T2-SOT-227-4,miniBLOC圖片

IXTN600N04T2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

商標(biāo)名:TrenchT2 GigaMOS
輸出電壓:40 V
輸出電流:600 A
輸出端數(shù)量:1
激勵(lì)器數(shù)量:Single
最小工作溫度:- 55 C
最大開(kāi)啟延遲時(shí)間:40 ns
最大關(guān)閉延遲時(shí)間:90 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOT-227B
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
最大功率耗散:940 W
電源電流:200 A
下降時(shí)間:250 ns
上升時(shí)間:20 ns
類型:TrenchT2 GigaMOS
產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTN600N04T2的詳細(xì)信息,包括IXTN600N04T2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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