色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IXTP06N120P

IXTP06N120P

廠家：: Ixys
封裝：: TO-220-3
數量：: 468
說明：: MOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds

一、本商品被瀏覽0次.

IXTP06N120P PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：50 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：24 ns
功率耗散：42 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：27 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：30 Ohms
漏極連續電流：0.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTP06N120P的詳細信息，包括IXTP06N120P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ