色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

IXTN200N10T

廠家：
  Ixys
封裝：
 SOT-227B
數(shù)量：
 2332  
說明：
 MOSFET
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
IXTN200N10T-SOT-227B圖片

IXTN200N10T PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：45 ns
功率耗散：500 W
最小工作溫度：- 55 C
封裝形式：SOT-227B
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0054 Ohms
漏極連續(xù)電流：200 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
制造商：IXYS

以上是IXTN200N10T的詳細信息，包括IXTN200N10T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • IXTN550N055T2圖片

    IXTN550N055T2

    功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

  • IXTN600N04T2圖片

    IXTN600N04T2

    功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IC電子元件郵購步驟

最新產(chǎn)品列表 IC
主站蜘蛛池模板： 萍乡市| 嘉禾县| 湘乡市| 济南市| 吐鲁番市| 尚志市| 大足县| 绵竹市| 岑溪市| 城固县| 林芝县| 库尔勒市| 河西区| 信阳市| 桃园市| 吴忠市| 山阴县| 北辰区| 托克托县| 盐源县| 公主岭市| 休宁县| 德惠市| 静宁县| 崇义县| 革吉县| 仁寿县| 鹿邑县| 宁蒗| 阿鲁科尔沁旗| 南平市| 兴化市| 雅安市| 青浦区| 南木林县| 兴城市| 锡林郭勒盟| 湘阴县| 黄龙县| 绥德县| 射阳县|