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IXFN38N100Q2

廠家：
  Ixys
封裝：
 SOT-227B
數量：
 5103  
說明：
 MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
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IXFN38N100Q2-SOT-227B圖片

IXFN38N100Q2 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：57 ns
工廠包裝數量：10
上升時間：28 ns
功率耗散：890 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.25 Ohms
漏極連續電流：38 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN38N100Q2的詳細信息，包括IXFN38N100Q2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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