色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IXFN44N100P

IXFN44N100P

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數量：: 5157
說明：: MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds

一、本商品被瀏覽0次.

IXFN44N100P PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：90 ns
工廠包裝數量：10
上升時間：68 ns
功率耗散：890 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：54 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.22 Ohms
漏極連續電流：37 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN44N100P的詳細信息，包括IXFN44N100P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1