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IXFN20N120

廠家:
  Ixys
封裝:
 SOT-227B
數量:
 4761  
說明:
 MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
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IXFN20N120-SOT-227B圖片

IXFN20N120 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:75 ns
工廠包裝數量:10
上升時間:45 ns
功率耗散:780 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:20 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOT-227B
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.75 Ohms
漏極連續電流:20 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:1200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFN20N120的詳細信息,包括IXFN20N120廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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