色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數量：: 4788
說明：: MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds

一、本商品被瀏覽0次.

IXFN21N100Q PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：60 ns
工廠包裝數量：10
上升時間：18 ns
功率耗散：520 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.5 Ohms
漏極連續電流：21 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN21N100Q的詳細信息，包括IXFN21N100Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1