色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFE180N10

IXFE180N10

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 1800
說明：: MOSFET 176 Amps 1000V 0.008 Rds

一、本商品被瀏覽0次.

IXFE180N10 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：140 ns
工廠包裝數(shù)量：10
上升時間：90 ns
功率耗散：500 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：65 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：ISOPLUS 227
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.008 Ohms
漏極連續(xù)電流：176 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFE180N10的詳細(xì)信息，包括IXFE180N10廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1