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IXFE36N100

廠家:
  Ixys
封裝:
 SOT-227B
數量:
 1845  
說明:
 MOSFET 33 Amps 1000V 0.24 Rds
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IXFE36N100-SOT-227B圖片

IXFE36N100 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:150 ns
工廠包裝數量:10
上升時間:82 ns
功率耗散:580 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:40 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:ISOPLUS 227
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.24 Ohms
漏極連續電流:33 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFE36N100的詳細信息,包括IXFE36N100廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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