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ISL9N312AP3

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220AB
數量:
 7389  
說明:
 MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
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ISL9N312AP3-TO-220AB圖片

ISL9N312AP3 PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:25 ns, 45 ns
工廠包裝數量:400
上升時間:60 ns, 30 ns
功率耗散:75 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:30 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.012 Ohms
漏極連續電流:58 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是ISL9N312AP3的詳細信息,包括ISL9N312AP3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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