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ISL9N312AS3ST

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263AB
數(shù)量:
 1152  
說(shuō)明:
 MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
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ISL9N312AS3ST PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:ISL9N312AS3ST_NL
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 ns, 45 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時(shí)間:60 ns, 30 ns
功率耗散:75 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:30 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263AB
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流:58 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是ISL9N312AS3ST的詳細(xì)信息,包括ISL9N312AS3ST廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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