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IRF830STRR

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 2421
說明：: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

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IRF830STRR-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IRF830STRR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.5 歐姆 @ 2.7A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：4.5A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：610pF @ 25V
功率 - 最大：74W
安裝類型：表面貼裝

以上是IRF830STRR的詳細信息，包括IRF830STRR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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