色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRF8327STR1PBF

IRF8327STR1PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: DIRECTFET? SQ
數量：: 1503
說明：: MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

IRF8327STR1PBF PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
功率耗散：42 W
柵極電荷 Qg：9.2 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro-8
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：10.9 mOhms
漏極連續電流：60 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF8327STR1PBF的詳細信息，包括IRF8327STR1PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1