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IRF7473PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 8-SO
數量:
 8847  
說明:
 MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 61nC
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IRF7473PBF-8-SO圖片

IRF7473PBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:29 ns
工廠包裝數量:95
上升時間:20 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:61 nC
下降時間:11 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):26 m Ohms
漏極連續電流:6.9 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF7473PBF的詳細信息,包括IRF7473PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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