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IRF7476PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 SOIC-8
數量:
 8960  
說明:
 MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 8mOhms 26nC
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IRF7476PBF-SOIC-8圖片

IRF7476PBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:19 ns
工廠包裝數量:95
上升時間:29 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:26 nC
下降時間:8.3 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):8 mOhms
漏極連續電流:15 A
閘/源擊穿電壓:12 V
汲極/源極擊穿電壓:12 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF7476PBF的詳細信息,包括IRF7476PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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