色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<button id="su8ku"></button>

首頁 > 電子元件分類 > 電源 > 電源管理 IC > 開關變換器、穩壓器與控制器 > IRF6691TR1

IRF6691TR1

廠家：: International Rectifier
封裝：: DirectFET? 等容 MT
數量：: 3708
說明：: MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC

一、本商品被瀏覽0次.

IRF6691TR1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：95 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 40 C
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET MT
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.8 m Ohms
漏極連續電流：32 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6691TR1的詳細信息，包括IRF6691TR1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產品：

軟開關 PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關變換器、穩壓器與控制器最新產品：