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IRF6708S2TR1PBF

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 DirectFET? 等容 S1
數量：
 2745  
說明：
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET S1
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IRF6708S2TR1PBF-DirectFET? 等容 S1圖片

IRF6708S2TR1PBF PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
功率耗散：20 W
柵極電荷 Qg：6.6 nC
包裝形式：Reel
電阻汲極/源極 RDS（導通）：14.3 mOhms
漏極連續電流：36 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF6708S2TR1PBF的詳細信息，包括IRF6708S2TR1PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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