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IPU04N03LB G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 P-TO251-3-1
數(shù)量:
 8658  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
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IPU04N03LB G-P-TO251-3-1圖片

IPU04N03LB G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.3 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:50A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2V @ 70µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:40nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :5200pF @ 15V
功率 - 最大:115W
安裝類型:通孔

以上是IPU04N03LB G的詳細信息,包括IPU04N03LB G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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